最近の展望
先端DRAMにおけるデータ保持時間の変動現象のメカニズム
−単一点欠陥が引き起こすデバイス劣化現象−
2007 年 76 巻 9 号 p. 1037-1040
詳細
2007 年 76 巻 9 号 p. 1037-1040
ダイナミックRAM（DRAM）において重要な問題となっているデータ保持時間の変動現象，VRT（Variable Retention Time）について，筆者らの最近の結果をもとに紹介する．この現象は，データ保持時間が2値化され，その間の遷移が繰り返される双安定性現象であり，DRAMのメモリーセルのトランジスタに含まれるたった1個の双安定結晶欠陥がその原因と考えられる．筆者らはトランジスタ内部の結晶欠陥の観察結果から，その微視的起源をシリコン空孔-酸素複合欠陥（V2Ox 欠陥）と考えた．本稿では，この欠陥とデータ保持時間の2値化がどのように結びつくのかを説明したい．
