パルスパワー放電で生成した高エネルギー密度プラズマは,次世代半導体製造装置の露光用光源として有力な候補である.光源の実用化のためには,EUV光を高効率で発生する準安定状態の高エネルギー密度プラズマを生成することが重要である.本論文では,高効率EUV発光のためのプラズマ閉じ込め方法について,EUV放射過程とプラズマ閉じ込めに関する理論と実験をもとに議論している.レーザーアブレーション法を利用して,電極表面近傍に局所的にガス分布を形成しパルス放電を開始すると,効率よく電極表面近傍にプラズマを閉じ込めることができる.本論文では,このレーザーと放電を組み合わせた方法について実験結果を交えながら述べる.また,EUV光源開発の現状と課題を紹介する.