解説
ZnO系エピタキシャル薄膜の高品質化とヘテロ接合
2008 年 77 巻 5 号 p. 500-507
詳細
2008 年 77 巻 5 号 p. 500-507
酸化亜鉛（ZnO）は，ワイドギャップ半導体として優れた特性を有している．その優れた機能を引き出し，光・電子デバイスへの応用を目指して，ZnO薄膜の高品質化を行い，残留電子濃度を大幅に低減する技術を確立した．またデバイス化に向けて，ZnMgO/ZnOヘテロ構造の研究開発を進めた．障壁層材料として開発したZnMgO層において，Mg濃度の増加につれて発光強度が増加するという，これまでにない現象を発見した．また，ZnMgO/ZnOヘテロ構造において，高濃度な二次元電子ガスの形成を確認し，高移動度トランジスタの動作を確認した．
