研究紹介
原子層窒素ドープGaAsを用いた励起子微細構造の制御と光子源に向けた展開
2009 年 78 巻 4 号 p. 355-359
詳細
2009 年 78 巻 4 号 p. 355-359
半導体中に制御して添加した希薄な不純物は，固有の電子状態を通じて不均一エネルギー広がりのない究極の量子ドットとして利用できる．このような量子ドットは，励起子と光の相互作用を利用したデバイス応用に期待されている．本稿では，GaAsへの窒素のδドープ技術を紹介して，窒素ペアに束縛された励起子の微細構造を明らかにする．また，光子源に向けた励起子微細構造の制御について議論する．
