最近の展望
LSI多層配線の信頼性
2009 年 78 巻 9 号 p. 873-877
詳細
2009 年 78 巻 9 号 p. 873-877
微細化に伴って問題が深刻化する Cu/Low-k 多層配線の信頼性に関し，代表的な故障モードであるエレクトロマイグレーション（EM），ストレスマイグレーション（SM），経時絶縁破壊（TDDB）のメカニズムと対策プロセスの現状を概括する．原子移動を引き起こす駆動力は，電子風力，応力，電界と故障モードごとに異なるが，その本質的な要因は，Cu 配線を覆う界面やバリア絶縁膜/Low-k 膜界面での原子の動きやすさにある．
