応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
研究紹介
CNT電界効果トランジスタ
水谷 孝
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2010 年 79 巻 10 号 p. 915-919

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抄録

CNT電界効果トランジスタに関して，コンタクト金属の仕事関数とトランジスタの導電型との関係，F4TCNQ を使ったケミカルドーピング，プラズマCVDを用いた半導体的振る舞いを示すCNTの優先成長・原因解明と薄膜トランジスタ応用，水平配向成長技術，n型CNT-FET作製技術に関するわれわれの取り組みの一端を紹介する．

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© 2010 公益社団法人応用物理学会
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