単層CNTの低エネルギー照射損傷

抄録

単層CNTは数eV〜数十keVの粒子の照射により損傷を受ける（低エネルギー照射損傷）．このため，電子線や真空紫外線などを用いる分析手法を利用する際には，損傷の発生について注意が必要である．本稿では，この低エネルギー照射損傷の特徴や生成する欠陥の性質について述べる．また，生成された欠陥によって電気特性に現れる金属 -半導体転移について紹介する．