東京工業大学大学院 理工学研究科電子物理工学専攻
2010 年 79 巻 2 号 p. 160-164
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MOSトランジスタは,ゲート電極に与える電圧によって半導体表面のキャリア数を変化させることでスイッチ素子として機能している.本稿では,MOSキャパシターのゲート電圧と容量の関係を題材として,半導体中の多数キャリアと少数キャリアについて議論する.
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