応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
半導体の不純物によるキャリアと反転層のキャリアの違いは?
内田 建
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2010 年 79 巻 2 号 p. 160-164

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抄録

MOSトランジスタは,ゲート電極に与える電圧によって半導体表面のキャリア数を変化させることでスイッチ素子として機能している.本稿では,MOSキャパシターのゲート電圧と容量の関係を題材として,半導体中の多数キャリアと少数キャリアについて議論する.

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© 2010 公益社団法人応用物理学会
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