研究紹介
液滴エピタキシーによるGaAsナノ構造の自己形成
2010 年 79 巻 5 号 p. 444-447
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2010 年 79 巻 5 号 p. 444-447
本稿では，液滴エピタキシー法によるGaAs/AlGaAs系半導体ナノ構造の自己形成について，われわれのグループの最近の研究成果を紹介する．成長過程の最適化により，液滴エピタキシー法に不可避である低温過程に起因する問題を克服し，きわめて品質の高い格子整合系量子ドットが実現可能であることを明らかにした．また，結晶化過程や成長基板面方位を工夫することにより，同心二重量子リング・二重結合量子ドットなどを含む高度な形状制御や量子ドットの超高密度化など，優れた特徴を有するナノ構造の形成に成功した．
