最近の展望
半導体露光用エキシマレーザー・EUV 光源の過去，現状そして将来
2010 年 79 巻 6 号 p. 541-545
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2010 年 79 巻 6 号 p. 541-545
半導体露光用エキシマレーザーは，狭帯域化技術と単色投影光学系のコンセプトが1980年代後半に誕生し，すでに四半世紀になる．さらに量産工場に導入されビジネスベースになった1990年代後半からもすでに15年が経つ．この間，DUV 領域のエキシマレーザー KrF，ArF，F2，高出力 ArF を使った液浸，二重露光と目まぐるしく技術開発が進められてきた．出力も当初1W レベルであったものが，2009年に発売された最新型 GT 62 A では90W まで進歩した．さらには32nm ノード以下のリソグラフィ技術として EUV リソグラフィが注目されている．Laser Produced Plasma（LPP）を使った EUV 光源もすでに69W を実現し，今では400W 出力の実現も視野に入ってきている．本稿はその歴史と最新の成果までを概観する．
