東京理科大学理学部物理学科
2010 年 79 巻 8 号 p. 754-757
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走査電子顕微鏡像には，試料表面のマクロな形状だけでなく，ドーパントや結晶性などによる材料物性，原子レベルの形状や構造変化，帯電状態の変化などを反映したさまざまなコントラストが現れる．これらのコントラストは半導体材料やナノ構造体の実用的な観察法として利用されている．
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