研究紹介
酸化亜鉛紫外LEDの開発とその材料科学
2011 年 80 巻 4 号 p. 314-318
詳細
2011 年 80 巻 4 号 p. 314-318
酸化亜鉛（ZnO）系ヘテロ接合を分子線エピタキシー法で成長し，紫外発光ダイオードを作製した．薄膜の高純度化・高品質化のため，ZnO基板の清浄化，基板ホルダ材料の選定，基板温度計測方法の確立などに注意を払った．窒素ドープ源としてアンモニアを，ZnO基板としてZn極性面を採用することで，ワイドギャップ(MgZn)Oのp型化に成功し，30mAの注入電流で70μWに達するバンド端近傍の紫外（380nm）発光を得た．
