研究紹介
AlGaN系深紫外LEDの進展と展望
2011 年 80 巻 4 号 p. 319-324
詳細
2011 年 80 巻 4 号 p. 319-324
深紫外LED，LDは，殺菌・浄水，医療，照明，高密度光記録，環境破壊物質の高速分解処理など幅広い応用が考えられ，その実現が期待されている．本研究ではAlGaN系半導体を用いて222〜351nmの広い波長領域の深紫外LEDを実現し，特に殺菌用途波長において実用レベルの高出力を実現した．パルス状ガス供給法を用いた低貫通転位密度AlN結晶成長法を開発し，深紫外発光効率を飛躍的に向上させ，50〜80％ 程度の高い内部量子効率を実現した．また，多重量子障壁の導入により電子注入効率を大幅に向上させ，CW出力30mWの高出力深紫外LEDを実現した．
