研究紹介
個々のドーパント原子を利用したシリコンナノデバイス―デバイス特性とフォトンセンシング機能―
2012 年 81 巻 2 号 p. 147-150
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2012 年 81 巻 2 号 p. 147-150
ドーパント原子は，半世紀以上の歳月を経て半導体デバイス中でのその役割が大きく変わろうとしている．多数のドーパントを大きなバルクSiの中で取り扱ってきた「バルク型ドーパント」から，ナノ構造Siの中での「個別ドーパント原子」への質的転換である．扱う物がどんどん小さくなれば個別性が顔を出すのは自然の成り行きである．しかし，それに伴ってデバイス原理も大きく転換することとなる．本稿では，シリコンテクノロジーの流れにありながら，デバイスの革新を予感させる最近の研究成果を紹介する．
