研究紹介
GaN中の点欠陥評価
2013 年 82 巻 10 号 p. 862-865
詳細
2013 年 82 巻 10 号 p. 862-865
トラップからのキャリヤ放出による空乏層容量の過渡応答を基礎とした評価法が，半導体の点欠陥研究に用いられる．なかでもDLTS法は，解析の容易さ，トラップ分離の能力，高感度などの点で優れており，多くの研究者によりSi，GaAs，AlGaAsなどの点欠陥評価に用いられてきた．近年，高耐圧，高温動作，高周波デバイス開発でGaNが注目を集めている．本稿では，GaNにDLTS法を用いてトラップの評価を行った研究について紹介する．
