NTT物性科学基礎研究所
産業技術総合研究所
東京理科大学 理学部 物理学科
2013 年 82 巻 2 号 p. 137-140
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グラフェンのデバイス応用には単結晶グラフェンが不可欠であり,その成長技術の確立に向け,グラフェン成長機構の理解が求められている.我々はこの目的に向かって,金属やSiC基板上でのグラフェン成長を電子顕微鏡により,その場観察してきた.本稿では,多結晶Ni箔上のグラフェンの偏析/析出を中心に,その場観察から明らかになったグラフェン成長過程を説明する.
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