研究紹介
3次元積層を可能にするpoly-Si MOS駆動の相変化メモリ
2013 年 82 巻 4 号 p. 313-316
詳細
2013 年 82 巻 4 号 p. 313-316
フラッシュメモリに続く大容量不揮発メモリの実現を目指してpoly-Si MOSトランジスタ駆動の相変化メモリの研究を行っている．本研究では，チャネルポリSi上に形成した薄膜相変化材料を用いることで相変化メモリのリセット電流を低減し，シリコン基板上のトランジスタと比較してオン電流が小さいpoly-Si MOSトランジスタで相変化メモリを駆動できるようにした．積層ゲートに一括加工で形成したメモリホール内にメモリセルを形成する縦型構造を用いることで，製造コストを圧倒的に低減する見通しが得られた．リセット電流45µA，リセット時間30nsは，約1GB/sのデータ転送速度を実現可能な性能である．
