シリコンプラットフォーム上光電子集積回路に向けたⅢ-Ⅴ/Geデバイス技術

抄録

高い電子移動度や正孔移動度を有するⅢ-Ⅴ族化合物半導体やGeは論理集積回路における次世代トランジスタ材料としてSiに置き換わるものと期待されており，実用化に向けた研究開発が急速に進展している．一方，このような異種半導体をSiプラットフォームに集積する技術の進展に伴い，優れた光物性をもつⅢ-Ⅴ族化合物半導体やGeを用いた高性能光素子を同じCMOSプロセス技術により一体集積することも可能となりつつある．本稿では，Siプラットフォーム上で光電子集積回路を実現するためのⅢ-Ⅴ/Geデバイス技術の最近の展望について紹介する．