解説
中性粒子ビームプロセスによる原子層レベルの表面欠陥抑制と表面化学反応の制御
超低損傷プロセスによるインテリジェントナノプロセスの構築
2014 年 83 巻 11 号 p. 894-899
詳細
2014 年 83 巻 11 号 p. 894-899
プラズマプロセスの進歩が半導体デバイスの微細化・高集積化を促進してきたと言っても過言ではない．しかし，ナノ領域に突入した半導体デバイスでは，プラズマから照射される電荷や紫外線などによる欠陥生成や損傷は，バルクよりも表面積の大きいナノデバイスの場合に特性を大きく劣化させるものである．そのため，プラズマプロセスにおいて電荷蓄積や紫外線照射損傷の抑制や制御を実現できる手法の開発は必要不可欠であり，筆者らの開発した中性粒子ビームはプロセス表面において原子層レベルで欠陥生成を抑制し，理想的な表面化学反応を室温で実現できる画期的な方法である．本手法を用いて革新的ナノデバイスの開発が進行している．
