解説
ハーフメタルスピン源を用いた半導体への高効率スピン注入
2014 年 83 巻 3 号 p. 194-199
詳細
2014 年 83 巻 3 号 p. 194-199
半導体への高効率電気的スピン注入は，スピントランジスタやスピンレーザーなどのスピン機能デバイスの基盤技術として不可欠である．本稿では，伝導電子のスピン偏極率が100%となるCo基ホイスラ合金を用いたGaAsへの高効率スピン注入に関する最近の研究成果について解説する．ホイスラ合金の一種Co2MnSiを用いて，非局所4端子測定法によりスピンバルブ（spin-valve）信号とハンル（Hanle）信号を観測し，GaAsチャネルへのスピン注入を実証した．さらに，半導体中に注入された電子スピンにより，核スピンが偏極することを示した．Co2MnSi電極をスピン源とすることで，GaAsチャネルへのスピン注入効率と核スピンの偏極率の両方が，CoFe電極の場合に比較して，大きくなることがわかった．
