研究紹介
スパッタリング成膜法による高品質酸化亜鉛薄膜の形成
2014 年 83 巻 5 号 p. 385-389
詳細
2014 年 83 巻 5 号 p. 385-389
スパッタリング成膜法を用いた酸化亜鉛（ZnO）薄膜の結晶成長において，初期核形成を制御する新しい方法「不純物添加結晶化（Impurity Mediated Crystallization: IMC）法」を開発した．本手法により，高格子不整合基板上への原子レベルで平坦なZnO単結晶膜の作製や，ガラス基板上への極薄低抵抗ZnO導電膜の形成が可能となった．本稿では，IMC法について紹介するとともに，これら成果の概要を述べる．
