東北大学 金属材料研究所 独立行政法人科学技術振興機構 さきがけ
東北大学 金属材料研究所
2015 年 84 巻 1 号 p. 61-65
(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)
(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)
ハード磁性層とソフト磁性層を交換結合させた薄膜において,ソフト磁性層内に磁気モーメントの波である「スピン波」を励起すると,ハード磁性層を小さな外部磁場で磁化スイッチングできるようになる.このスピン波アシスト磁化反転は,磁気記憶デバイスが直面する情報の高密度化とデバイスの低エネルギー動作の両立という課題への1つの解決策である.本稿では,スピン波を利用した磁化スイッチングの実験と数値計算,およびそのメカニズムについて紹介する.
すでにアカウントをお持ちの場合 サインインはこちら