半導体シリサイドの太陽電池応用に向けて

抄録

半導体BaSi₂は禁制帯幅が約1.3eVの半導体である．間接遷移型半導体であるが光吸収係数が大きく，また，多結晶膜であるが，結晶粒サイズよりも格段に大きな少数キャリヤ拡散長をもつなど，光キャリヤの生成と収集に特に有利な特徴をもつ．これは，結晶粒界が正に帯電し，少数キャリヤを結晶粒界から排斥する作用によると考えられる．本稿では，BaSi₂の少数キャリヤ特性を中心に，この材料の魅力と将来展望を述べる．