解説
イリジウム下地を用いたエピタキシャルダイヤモンドウェーハの作製
2015 年 84 巻 7 号 p. 622-627
詳細
2015 年 84 巻 7 号 p. 622-627
ダイヤモンドを半導体材料や光学材料として利用するためには大面積かつ高品質なダイヤモンドウェーハ作製技術の確立が必要不可欠である．1995年に青山学院大学犬塚研究室がエピタキシャルIr下地へのダイヤモンドのエピタキシャル成長を発表してから20年，大面積化および高品質化技術は着実に進歩している．本稿では直流プラズマCVD法を用いたIr下地へのエピタキシャル成長技術について，これまでの開発成果および今後の展望について紹介する．
