応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
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トランジスタ型強誘電体メモリの応用展開
金子 幸広
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2015 年 84 巻 9 号 p. 812-817

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抄録

強誘電体ゲートトランジスタは,高速動作・高書き換え耐性・低消費電力を併せもつ.本稿では,新材料導入による保持特性改善への取り組み,動作ダイナミクスをまず紹介する.その後,多値記録性能や動作ダイナミクスを利用した応用展開として,衝撃記録素子および脳型デバイスへの応用について解説する.

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© 2015 公益社団法人応用物理学会
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