解説
可視InGaN半導体レーザー励起固体レーザー開発の進展
2016 年 85 巻 10 号 p. 856-862
詳細
2016 年 85 巻 10 号 p. 856-862
青色InGaN半導体レーザーは，近年，プロジェクタやレーザー加工応用への直接的な光源として注目され，単一エミッタとしての高出力化においては，AlGaInP赤色半導体レーザー以上の出力レベルに達し，ビーム結合により数十Wの出力が実現されている．さらに，長波長化はすでに緑色に達している．同レーザーで励起した固体レーザーは，コヒーレント変換器として，あるいは高ピークパワーパルス動作，波長可変性などの高機能性を付加できるデバイスとして，従来の近赤外半導体レーザー励起固体レーザーを凌駕(りようが)する可能性を有している．本稿では，Pr3+ドープLiYF4固体レーザーを中心に開発研究動向を紹介する．
