透明酸化物薄膜トランジスタの発熱解析技術と劣化機構の解明

抄録

透明酸化物薄膜トランジスタ（TFT）は，その高い電気性能，低温形成の可能性，ユニークな光学的性質から，有機ELやフレキシブルディスプレイなど，次世代のディスプレイの駆動素子として，高い関心が集まっている．一方で，高温プロセスで形成される単結晶シリコンや多結晶シリコンと比較して，さまざまな信頼性の課題が残されている．本稿では，発熱による薄膜トランジスタの劣化の解析手法，ならびにその劣化機構について解説する．また，透明酸化物材料の新しい展開として注目されている抵抗変化型メモリ（ReRAM）の動作機構の解明にも有効な手段であることが判明したため紹介する．