解説
ウェーハスケールLSI微細配線応用に向けたナノカーボン材料技術
2018 年 87 巻 2 号 p. 100-105
詳細
2018 年 87 巻 2 号 p. 100-105
グラフェン・カーボンナノチューブ（CNT）などのナノカーボン材料はその特異な物性から幅広い応用が期待されている．中でも，LSIやメモリに代表されるウェーハスケールでの微細集積半導体デバイスプロセスへの適用は巨大な市場規模と相まって大きな波及効果が期待される．本稿では，300mm径ウェーハスケールでのLSI微細配線応用に向けたグラフェンおよびCNTの低温成長や伝導制御などの材料技術，および微細配線形成技術の開発動向について，(株)東芝・東京エレクトロン(株)・(株)荏原製作所グループの研究結果を中心に紹介する．
