最近の展望
反転層型ダイヤモンドMOSFET
2018 年 87 巻 2 号 p. 106-110
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2018 年 87 巻 2 号 p. 106-110
ダイヤモンド半導体は，半導体材料の中でも絶縁破壊電界，熱伝導率，キャリヤ移動度が極めて高く，究極のパワーエレクトロニクス材料として期待されている．1997年に初めてn型ダイヤモンド半導体の成長に成功してから，それ以前に広く研究されてきたp型ダイヤモンド半導体と組み合わせて，ダイオードやトランジスタ，LED，センサなどが報告されてきた．しかし，パワーデバイスとして広く普及している反転層型MOSFETは良質なMOS界面の作製が困難であったため，実現していなかった．本稿では，世界で初めて成功した反転層型ダイヤモンドMOSFETの動作実証の詳細と今後の展望について述べる．
