半導体プロセスシミュレーションのコツ

抄録

半導体のドライプロセスでは，気相中で生成された活性種が輸送され，ウェーハ表面で反応します．その反応サイズは，気相でセンチメートル〜メートルオーダ，ウェーハ近傍の輸送領域でマイクロ〜ミリメートルオーダ，ウェーハ表面でナノ〜ミリメートルオーダと大きく異なります．こうした現象の計算には，気相反応，輸送，表面の反応モデルをそれぞれ構築し，モデル間のデータ受け渡し，あるいは練成計算するマルチスケールシミュレーションが最適です．本稿ではシミュレーションの概要を説明するとともに，酸化膜のドライエッチングでの計算例を紹介します．