応用物理
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Print ISSN : 0369-8009
基礎講座
半導体プロセスシミュレーションのコツ
髙木 茂行
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ジャーナル 認証あり

2018 年 87 巻 2 号 p. 129-133

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抄録

半導体のドライプロセスでは,気相中で生成された活性種が輸送され,ウェーハ表面で反応します.その反応サイズは,気相でセンチメートル〜メートルオーダ,ウェーハ近傍の輸送領域でマイクロ〜ミリメートルオーダ,ウェーハ表面でナノ〜ミリメートルオーダと大きく異なります.こうした現象の計算には,気相反応,輸送,表面の反応モデルをそれぞれ構築し,モデル間のデータ受け渡し,あるいは練成計算するマルチスケールシミュレーションが最適です.本稿ではシミュレーションの概要を説明するとともに,酸化膜のドライエッチングでの計算例を紹介します.

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© 2018 公益社団法人応用物理学会
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