応用物理
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総合報告
HfO2薄膜の強誘電性
鳥海 明
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2019 年 88 巻 9 号 p. 586-596

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抄録

HfO2薄膜の強誘電性は2011年に発表された当時,必ずしも大きな関心を呼んだわけではなかったが,最近は応用というだけでなく材料科学的にも多くの関心がもたれている.強誘電体というと従来はPZTに代表されるペロブスカイト構造の材料がほとんどであり,数百nmという厚さであった.ところがHfO2では一気に数nmの厚さの強誘電体薄膜が議論される.しかも残留分極量はほぼ同程度である.さらにHfO2は先端CMOSゲートスタックにおいて現在使われており,半導体プロセスに極めて親和性が高く,電子デバイスに使うことに全く違和感がない.強誘電性HfO2の特徴はドーピングによって強誘電性が発現することにある.そこで本稿では主にドーピング効果に焦点を当てて検討した結果を議論する.さらに応用という観点からも従来とは異なる領域に利用できそうであり,新規電子デバイスという観点からも議論する.

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© 2019 年 応用物理学会
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