2020 年 89 巻 12 号 p. 707-710
高効率な結晶シリコン太陽電池の一種であるシリコンヘテロ接合(SHJ)太陽電池においては,シリコン基板の表面でのキャリヤ再結合を抑制するための表面パッシベーション膜が極めて重要である.この表面パッシベーション膜には,毒性・爆発性ガスを用いる化学気相堆積法(CVD)により形成される水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)が用いられるが,より一層の低コスト化に向けてはより安全なプロセスの検討が必要と考えられる.本稿では,低ダメージスパッタの一種である対向ターゲットスパッタ法(FTS)1)を用いたa-Si:Hパッシベーション膜の現状について紹介する.