研究紹介
GaN縦型パワーデバイス実現に向けた点欠陥評価
2021 年 90 巻 10 号 p. 628-631
詳細
2021 年 90 巻 10 号 p. 628-631
GaN縦型パワーデバイスのエピタキシャル成長，デバイスプロセスの開発，あるいは，デバイス設計に点欠陥の知見は不可欠であるが，SiやGaAsに比べると，GaNの点欠陥の理解はまだまだ不足している．議論が分かれていた電子トラップの起源特定，n型GaN中の正孔トラップの簡便な定量評価方法の開発や測定の高速化によるウェーハマッピング，電子線照射により意図的に窒素原子のみを変位させることにより，窒素空孔や格子間窒素の作るトラップ準位，アニール挙動など，筆者らが取り組んできた研究について紹介する．
