解説
新奇中性子半導体検出器実現に向けたIII族窒化物半導体の研究
2022 年 91 巻 10 号 p. 599-605
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2022 年 91 巻 10 号 p. 599-605
窒化ガリウム（GaN）に代表されるIII族窒化物半導体は，広いバンドギャップなどの優れた材料特性を持つことから短波長発光素子やパワーデバイスへの応用など，さまざまな検討が行われている．我々は，このようなIII族窒化物半導体を用いた新しい可能性としてBGaNを用いた中性子半導体検出器を提案している．ホウ素（B）原子が大きな中性子捕獲断面積を持つことから，半導体中で中性子捕獲が可能であり中性子イメージングセンサとして利用が期待できる材料である．本稿では，このような新奇中性子検出デバイスの着想と動作原理，研究進捗(しんちょく)を紹介する．特にBGaN結晶成長技術において気相反応を抑制した厚膜成長技術の開発内容と，厚膜BGaNダイオードにより達成した中性子捕獲信号の検出について紹介する．
