深紫外発光AlGaNの励起子光物性

抄録

深紫外領域で動作する発光デバイス材料として注目されるAlGaNの励起子光物性に関する最近の研究成果として，AlGaN系量子井戸構造において励起子の関与が示唆される光励起誘導放出を観測した結果について紹介する．AlGaN系量子井戸構造において光励起誘導放出の温度依存性を評価し，温度上昇に伴って光学利得生成機構が，励起子が関与したものから電子‐正孔プラズマの再結合によるものへと変化する過程を観測した．さらに，室温において励起子が関与した光学利得生成機構が機能している可能性を示し，縦共振器モードを反映した微細構造を伴う光励起レーザー発振を確認した．