研究紹介
次元性と誘電環境が支配する2次元半導体ドーピングとGAA設計指針
2026 年 95 巻 10 号 p. 561-564
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2026 年 95 巻 10 号 p. 561-564
元素置換ドープ2次元半導体では，量子閉じ込め効果と環境の誘電率低下の影響により，不純物原子のイオン化エネルギーがバルク半導体より増大（数百meV程度）し，キャリア生成が困難となる．本稿では，水素原子モデルを基礎として2次元半導体における不純物活性化の描像を整理し，NbドープWSe2における低次元化に伴う縮退‐非縮退遷移の実験結果を紹介する．さらに，その理解に基づき，ゲート・オール・アラウンド構造における領域別ドーピング戦略を議論する．
