結晶性Ga添加In₂O₃を用いた酸化物半導体チャネルトランジスタ

抄録

現在，酸化物半導体は集積デバイス分野における新チャネル材料として注目されている．酸化物半導体の代表例は非晶質In-Ga-Zn-O系であり，本分野における標準材料として広く研究されている．我々は酸化物半導体トランジスタの更なる性能向上を図るため，非晶質ではなく結晶構造を有する材料を研究対象とした．本稿では，結晶性Ga添加In₂O₃に着目し，その材料物性，トランジスタ特性および電子輸送機構を紹介し，集積デバイス応用への可能性を議論する．