イオンビームの半導体プロセスへの応用
1982 年 51 巻 2 号 p. 166-173
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1982 年 51 巻 2 号 p. 166-173
イオンビームは固体中での散乱が小さく,電子ビームに比較してより微細なパターンの描画・転写が可能であるため,高集積化をめざした半導体プロセス技術のホープとなりつつある.特に,ここ数年来,電界電離を用いた高輝度液体金属イオン源が開発され, 1000Å 以下の微小径高密度イオンビームが得られるようになったため, LSI製作に必要なほとんどの半導体プロセスをイオンビームで行なうレジストレス全自動ドライプロセスに向けての開発研究が始まりつつある.
