抄録
超高速化を指向するトランジスタ技衛は材料的にも,また構造的にも多様な技術が競合して開発されつつある.構造の微細化は高速化の基本であり,いずれも0.1μm程度の実用釣限界を指向している.高移動度,高ドリフト速度の期待し得る化合物半導体素子はraw speedに優れ,GaAs MES-FETでfT〓60～80GHz,ヘテロバイポーラ素子でそれを上まわる性能が期待され,各種システムのフロントエンドなど将来の超高速ニーズに応えよう.高速正LSI用素子としてはSiバイポーラ素子にてゲート遅延時間〓50ns(～1mW)が実現されよう.化合物半導体FET型素子は低電圧動作の特徴に加え強い非線形特性の実理が鍵で,縦構造の微細化により非線形性は,なお改良の余地がある.特にヘテロ接合型FET素子はバイポーラ素子に競合し得る可能姓(gm〓1S/mm)を残している.
