応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
超高集積回路における集積度
須藤 常太, 吉井 彰
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1984 年 53 巻 2 号 p. 120-123

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抄録
シリコン集積回路の集積度および性能限界について考察している.デバイスや回路の動作を規制する要因の解析から,パターンルールとして0.1μm程度がデバイスの微細化の限界となる。LSIとしては論理で100万ゲート,メモリーで数+Mbitの集積度に相当し,設計技術の観点からもこの値が集積度の限界となる,このとき基本ゲートの遅延時間としては脛OS,バイポーラともに同程度であり数PSのものが実現できる.
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© 社団法人 応用物理学会
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