抄録
最近の電力用半導素子の開発は「制制性」と「高速性」の一方または両方を同時に追求ずる方向にあり,光トリガーサィリスター,ゲートターンオフサイリスター,パワートランジスタ,静電誘導型トランジスタ,パワーMOSFETなど,従来のサイリスターに代わる新しいスイッチング素子を求めて,その開発の実体は非常に多様化しており,このような技衛動向の中で「大電力化」が追求されている一方,LSI, VLSIで開発された「微細加工技術」や,化合物半導体などの「新材料」を中核技術とする,より新しい電力用半導棒素子の研究も始まっており,電力用半導体発子の「大電力化」は再度,新しい展開をみせることが予想される.
