Si 表面上の薄膜パターンエッジで発生する応力と結晶欠陥
1984 年 53 巻 2 号 p. 94-102
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1984 年 53 巻 2 号 p. 94-102
Si半導体製造プロセスにおいて,Si基板上に形成された薄膜パターンは不純物拡散のマスク,素子間分離などの目的に広く使用されている.これらの薄膜とSi基板とでは一般に物理的性質が異なるため,薄膜パターンエッジにおいて応力集中が生じ,後の熱処理条件によってはパターンエッジから転位が発生する.本稿の前半では,熱酸化膜およびSi3N4膜パターンエッジ応力の特徴,エッジ近傍の応力分布などについて概説し,後半では,主としてSi溝を酸化したときに発生する応力および転位について紹介する.
