原子層エピタキシャル法による結晶成長

抄録

原子層エピタキシーは,原料ガスを洞時ではなく,交互に送るというだけで,1分子層ずつ結晶成長が原子の寸法の精度でできる利点をもつ,しかし,温度を上げなければならず,格子配列を乱すことがある.光照射は,欠陥も誘発することなく,しかも選択的に特定のイオンやラジカルを作ったり,現象を促進することができて,純粋な反応を生ずることができる.この両者を併用することによって,今後の新しいデバイスの試作が行なえるものと考えられ,結晶成長の機構の解明にも大きな進歩が期待できる.