高速結晶成長
半導体のレーザーアニーリング
1985 年 54 巻 6 号 p. 552-567
詳細
1985 年 54 巻 6 号 p. 552-567
パルスレーザー光を照射して結晶の表面層を融解すると,その直後に通常の融液成長に比して104～105倍も速い固化が起こる.固化速度が20m/sを越えると非晶質になるが,数m/sの速さでも良質の半導体結晶相が形成される.しかし,インディケーターとなる不純物を添加しておくと,その濃度分布から液相と結晶相の中間の状態が界面で凍結されていることがわかる.この方法で固液界面の状態,固化の原子的素過程を追求してみた.低速の通常の結晶成長を理解するためにも,高速成長の研究は大切である.
