(株)富士通研究所
1986 年 55 巻 4 号 p. 354-359
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Siデバイス,化合物半導体デバイス,ジョセフソン接合デバイスの3種類の単体素子の高速化限界について述べる.Siデバイスの高速化は微細加工技術に依存しておりその限界が明確になってきた,化合物半導体デバイスやジョセフソン素子では1psの壁を破る可能性も出て来た.
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