応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
シリコンの低温液相酸化とそのアモルファスシリコンMOSFETへの応用
内田 恭敬, 張 宏勇, 松村 正清
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1987 年 56 巻 1 号 p. 76-79

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抄録
アモルファスシリコントランジスタのゲート絶縁膜として,長期的安定性・信頼性に富む熱酸化膜を低温で形成するため,液体の強酸化剤である硝酸と硫酸の混合液を用い,酸化温度の低温化を行なった.その結果,従来の熱酸化法に比べ1/2以下であり,アモルファスシリコンの耐熱温度以下の250°C程度でシリコンを熱的に酸化できた.本稿では,この液相酸化法,酸化膜質およびアモルファスシリコンMOSFETへの応用例,そして常圧化の初期的結果について述べる.
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© 社団法人 応用物理学会
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