-Si基板上へのシングルドメインGaAs膜の成長機構-二段階成長法におけるSi基板上へのシングルドメインGaAs膜の成長機構
1988 年 57 巻 11 号 p. 1742-1747
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1988 年 57 巻 11 号 p. 1742-1747
MOCVDを用いた二段階成長法によるSi基板上へのGaAsの成長において,低温で成長させたGaAsバッファ層は島状の成長をする.これらの島は,Si表面のステップの高さが完全に偶数の原子層で形成されておらず,成長した島の結晶方位が一致していなくても,これをアニールすることにより,すべての島が,優勢なほうの方位に並び替える,この並び替えが起こるためには,GaAsの.島が十分小さいうちに,周囲の島と接することが必要であり,この条件が満たされるならば,バッファ層の成長温度によらず,シングルドメインの成長層が得られる.
