応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
LSIにおける光励起プロセスの動向
英 貢
著者情報
ジャーナル フリー

1990 年 59 巻 11 号 p. 1479-1483

詳細
抄録

微細化が進み,深刻な問題に直面しているLSI加工技術のなかで,光励起プロセスの役割が注目されている.その現状を,基礎過程の解明,レーザー微細加工,薄膜形成,ドーピング,エッチング,クリーニングの項目に分けて展望する.レーザー直接描画による配線マスク修正は,すでに開発ツールとして利用され始めており,他方,単原子層結晶成長やデジタルエッチングでの光照射効果のように,高制御性プロセスとしての展開が期待される分野もある,今後の発展のためには,基礎過程,特に表面光反応の解明が重要となっている.

著者関連情報
© 社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
feedback
Top