東京工業大学工業材料研究所 理化学研究所
1991 年 60 巻 5 号 p. 470-473
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分子線エピタキシー法 (MBE法)によるBi系2201および2212相の超薄膜の,低温 (573 K), 低圧 (NO2圧10-5 Pa) での合成に関し,そのカギとなる過程について解説した.また,低温合成の特徴を生かし, Bi系超薄膜のひずみ格子を形成した結果を示した.
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