応用物理
Online ISSN : 2188-2290
Print ISSN : 0369-8009
Hg Cd Teの有機金属気相成長
安田 和人
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1995 年 64 巻 2 号 p. 141-144

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抄録
有機金属気相成長法によるHgCdTeの成長についてその成長特性を概説する.この材料の成長には原料として有機カドミウム,有機テルル,金属水銀が用いられている.しかしながら金属水銀を原料として使用するため成長装置はIII-V族半導体の成長装置とは異なった構成になるとともに,HgCdTeの成長特性もIII-V族半導体の場合には生じないような特異な性質;を示すようになる.ここではHgOdTe成長原料,成長特性,成長装置について問題点およびその改良の方法について述べる.
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© 社団法人 応用物理学会
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